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    DTL邊腐蝕設備
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    DTL邊腐蝕設備

    1.1 設備用途

    本設備主要精準腐蝕晶圓邊緣氧化層,有效控制邊緣寬度,腐蝕時保護其他區域不被腐蝕。實現邊緣局部腐蝕,擁有氣液混和工藝方案。每片晶圓僅消耗 1 毫升的氫氟酸溶液和少量氮氣。

    1.2. 工作原理

    基于創新的動態薄層晶圓表面化學處理技術。其工作原理是把半導體晶圓放置在一個封閉的超微型化學反應腔室內,通過對腔室結構的設計和精密加工,使進入腔室內的化學氣體和液體在晶圓邊緣形成一層化學流體薄層,與晶圓邊緣發生化學和物理反應,達到對晶圓邊緣氧化硅的腐蝕效果。

    1.3 設備特點

    ①用于大硅片材料(6、8、12寸)的晶圓邊緣腐蝕

    ②工藝簡單,無需貼膜,干進干出,腐蝕干燥一體完成

    ③多腔體設計,提高生產通量

    可精確選擇腐蝕區域,精度±0.15mm

    ⑤氣液混合工藝方案,超低HF消耗(干法腐蝕:HF用量1ml/片,無需超純水;濕法腐蝕:HF用量小于30ml/片,超純水小于210ml/片

    ⑥功能拓展性強,可集成下一步工藝

    ⑦超低排放,綠色環保


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